Описание
Система дифракции обратно рассеянных электронов (EBSD)
Система EBSD (Electron Backscatter Diffraction) предназначена для кристаллографического анализа в составе сканирующего электронного микроскопа. Принцип работы основан на регистрации дифракционных картин обратно отражённых электронов, формируемых вблизи поверхности образца при его облучении электронным пучком. По геометрии и интенсивности дифракционных полос рассчитываются ориентация зёрен, текстура, границы фаз, параметры деформации и другие характеристики кристаллической решётки.
Применение EBSD существенно расширяет аналитические возможности СЭМ, позволяя напрямую связывать микроструктуру с функциональными свойствами материала. Метод востребован в научно-исследовательских работах при изучении процессов рекристаллизации, фазовых превращений, роста зёрен, а также в промышленной практике для входного и выходного контроля качества металлических, керамических и полупроводниковых изделий. Для комплектации СЭМ KYKY предлагаются EBSD-детекторы серии C-Nano производства Oxford Instruments, характеризующиеся высокой скоростью съёмки и стабильной геометрией регистрации.
| Параметр | Значение |
|---|---|
| CMOS-камера | высокоскоростная, низкий шум; разрешение 1244×1024; скорость до 400 pps |
| Минимальный рабочий ток пучка | 100 пА |
| Минимальное ускоряющее напряжение | 5 кВ |
| Точность определения ориентации | лучше 0,05° |
| Разрешение дифракционного шаблона | 312×256 пикселей на максимальной скорости регистрации |
| Генератор сканирования | встроенный |
| Программное обеспечение | пакет AZtec для совместной работы и интеграции каналов EDS/EBSD |
В практической работе EBSD используется как в точечных измерениях, так и в режиме картирования: детектор последовательно фиксирует дифракционные картины в узлах сетки сканирования, после чего ПО формирует ориентационные карты, карты фаз, распределения углов разориентации и статистику по зеренной структуре. Это даёт возможность количественно оценивать свойства материала, недоступные при обычной топографической визуализации в СЭМ.